La préparation d'échantillons par FIB-SEM aux ions gallium présente une limite d'endommagement ; le nettoyage par faisceau d'ions argon à basse énergie est utilisé pour améliorer la qualité des échantillons TEM
La microscopie électronique à balayage par faisceau d'ions focalisés au gallium (Ga⁺ FIB-SEM) est devenue une méthode importante pour la préparation d'échantillons en lame mince ciblée pour la microscopie électronique en transmission / la microscopie électronique en transmission à balayage (TEM/STEM), permettant de découper, d'extraire et d'amincir des régions ciblées à l'échelle nanométrique. Cependant, les documents indiquent que les ions gallium, tout en offrant une capacité d'usinage de haute précision, provoquent également une amorphisation, une implantation ionique et des modifications chimiques locales à la surface de l'échantillon, ce qui peut affecter les résultats d'imagerie à haute résolution et d'analyse spectroscopique ultérieurs. Les documents précisent que le Ga⁺ FIB-SEM peut généralement effectuer un usinage ciblé à haute résolution à 30 keV, mais que les ions gallium à haute énergie forment une couche endommagée sur les parois latérales de l'échantillon. Dans le cas du silicium...
2026-08-31
